Name: IMCQ120R017M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND
Price: 222.6 SEK
Availability: InStock

IMCQ120R017M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMCQ120R017M2HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMCQ120R017M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMCQ120R017M2HXTMA1
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 118A 22PWRBSOP
Tillverkarens standardleveranstid	39 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 118A (Tc) 580W (Tc) Ytmontering PG-HDSOP-22
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMCQ120R017M2HXTMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	118A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	17,1mOhm vid 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,1V vid 12,7mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	91.1 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3730 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	580W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HDSOP-22
Inkapsling/låda	22-PowerBSOP modul

Enhetspris exkl. moms:	kr 178,08000
Enhetspris inkl. moms:	kr 222,60000

IMCQ120R017M2HXTMA1