Name: IMDQ65R010M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ65R010M2HXUMA1TR-ND
Price: 235.425 SEK
Availability: OutOfStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMDQ65R010M2HXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMDQ65R010M2HXUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMDQ65R010M2HXUMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMDQ65R010M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMDQ65R010M2HXUMA1
Beskrivning	IMDQ65R010M2HXUMA1
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 154 A (Tc) 651W (Tc) Ytmontering PG-HDSOP-22-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMDQ65R010M2HXUMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	154 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	9,1mOhm vid 92,1A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,6V vid 18,7mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	113 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4002 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	651W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HDSOP-22-1
Inkapsling/låda	22-PowerBSOP-modul