Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 294.675 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMBG65R010M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMBG65R010M2HXTMA1
Beskrivning	SILICON CARBIDE MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMBG65R010M2HXTMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 9,1mOhm vid 92,1A, 20V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs(th) (Max) @ Id 5,6V vid 18,7mA
Serie CoolSiC™	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 112 nC @ 18 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) +23V, -7V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 4001 pF @ 400 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 535W (Tc)
Teknologi SiCFET (kiselkarbid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 158 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO263-7-12
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Inkapsling/låda TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA