NovuSem FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Resultat : 3
Lageralternativ
Miljöalternativ
Media
Exkludera
3Resultat
Tillämpade filter Ta bort alla

Visar
av 3
Tillv. artnr.
Tillgängligt antal
Pris
Serie
Förpackning
Produktstatus
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
Rds On (max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Vgs (Max)
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
Effektförlust (max)
Arbetstemperatur
Monteringstyp
Leverantörens enhetsförpackning
Inkapsling/låda
NC1M120C12WDCU
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
NovuSem
218
Marketplace
218 : kr 632,01601
Tråg
Tråg
Aktiv
-
SiCFET (kiselkarbid)
1200 V
214A (Tc)
20V
12mOhm vid 20A, 20V
3,5V vid 40mA
+22V, -8V
8330 pF @ 1000 V
-
-
Ytmontering
Kiselplatta
Stans
NC1M120C12WCNG
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
NovuSem
218
Marketplace
218 : kr 462,86101
Tråg
Tråg
Aktiv
-
SiCFET (kiselkarbid)
-
214A (Tc)
20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
NC1M120C12HTNG
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
NovuSem
0
Marketplace
Aktiv
Rör
Aktiv
N-kanal
SiCFET (kiselkarbid)
1200 V
47 A (Tc)
20V
75mOhm vid 20A, 20V
2,8V vid 5mA
+20V, -5V
1450 pF @ 1000 V
288W (Ta)
-55°C-175°C (TJ)
Genomgående hål
TO-247-4L
TO-247-4
Visar
av 3

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar


Fälteffekttransistorer (FET:ar) och MOSFET:ar (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) är olika typer av transistorer som används för att förstärka eller switcha elektroniska signaler.

En FET fungerar genom att styra flödet av elektrisk ström mellan source- och drain-anslutningarna genom ett elektriskt fält som genereras av en spänning som appliceras på gate-anslutningen. Den största fördelen med FET:ar är deras höga ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för användning i signalförstärkning och analoga kretsar. De används ofta i tillämpningar som förstärkare, oscillatorer och buffertsteg i elektroniska kretsar.

MOSFET:ar, som är en undertyp av FET:ar, har en gate-anslutning som är isolerad från kanalen med ett tunt oxidskikt, vilket förbättrar dess prestanda och gör dem mycket effektiva. MOSFET:ar kan delas in i två olika typer:

MOSFET:ar är att föredra i många tillämpningar tack vare deras låga strömförbrukning, snabba switchning och förmåga att hantera stora strömmar och spänningar. De är avgörande i digitala och analoga kretsar, inklusive strömförsörjning, motorstyrningar och radiofrekvenstillämpningar.

MOSFET:ars funktion kan delas upp i två olika lägen:

  • Förbättringsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt avstängd när gate-source spänningen är noll. Den kräver en positiv gate-source spänning (för n-kanal) eller en negativ gate-source spänning (för p-kanal) för att slås på.
  • Tömningsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt på när gate-source spänningen är noll. Om man lägger på en gate-source spänning med motsatt polaritet kan den stängas av.

MOSFET:ar har flera fördelar, t.ex:

  1. Hög verkningsgrad: De förbrukar väldigt lite ström och kan växla läge snabbt, vilket gör dem väldigt effektiva i tillämpningar för strömhantering.
  2. Låg resistans vid tillslag: De har låg tillslagsresistans, vilket minimerar strömförluster och värmeutveckling.
  3. Hög ingångsimpedans: Konstruktionen med en isolerad gate ger en extremt hög ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för signalförstärkning med hög impedans.

Sammanfattningsvis är FET:ar, och i synnerhet MOSFET:ar, grundläggande komponenter i modern elektronik, och är kända för sin verkningsgrad, snabbhet och mångsidighet i en stor mängd tillämpningar, allt från signalförstärkning med låg effekt till switchning och styrning med hög effekt.