Transistorer - FETs, MOSFETs - enkla

Resultat : 39 358
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
Rensa
Serie
-*Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
Rensa
Förpackning
-Band (byggindustri)BoxBulkDigi-Reel®PåseRemsa och låda (TB)Remsa och spole (TR)Remsbit (CT)RörTråg
Rensa
Artikelstatus
AktivFöråldradHar utgått hos Digi-KeyInte för nya designerPreliminärSenaste tidpunkt för inköp
Rensa
FET-typ
-N-kanalP-kanal
Rensa
Teknologi
-GaNFET (galliumnitrid)GaNFET (kaskod gallium-nitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (skikttransistor av kiselkarbid)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (kiselkarbid)
Rensa
Drain till source-spänning (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Rensa
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
Rensa
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
-0,35V0V0V, 10V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V1,5V
Rensa
Rds On (max) @ Id, Vgs
0,4 mOhm vid 50A, 10V0,4mOhm vid 150A, 10V0,4mOhm vid 30A, 10V0,42mOhm vid 50A, 10V0,45mOhm vid 30A, 10V0,45mOhm vid 50A, 10V0,45mOhm vid 60A, 4,5V0,47mOhm vid 20A, 10V0,48 mOhm vid 50A, 10V0,52mOhm vid 30A, 10V0,53mOhm vid 20A, 10V0,55mOhm vid 25A, 10V0,55mOhm vid 50A, 10V
Rensa
Vgs(th) (Max) @ Id
400mV vid 250µA400 mV vid 1 mA (min.)400 mV vid 250 µA (min.)450mV vid 250µA450 mV vid 100 µA (min.)450 mV vid 1 mA (min.)450 mV vid 250 µA (min.)450 mV vid 2 mA (min.)500mV vid 250µA500 mV vid 250 µA (min.)570mV vid 1mA600mV vid 1mA600mV vid 250µA
Rensa
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V
Rensa
Vgs (Max)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V
Rensa
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
0.0237 pF @ 25 V0.0242 pF @ 25 V0.131 pF @ 25 V3.288 pF @ 400 V3.5 pF @ 15 V4.411 pF @ 50 V4.5 pF @ 5 V4.559 pF @ 40 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V
Rensa
FET-funktion
-Schottkydiod (hölje)Schottkydiod (isolerad)StandardStrömavkänningSuper JunctionTemperaturavkännande diodUtarmningstyp
Rensa
Effektförlust (max)
0,49mW1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW
Rensa
Arbetstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)
Rensa
Monteringstyp
-ChassimonteringGenomgående hålYtmonteringYtmontering, vätbar sida
Rensa
Leverantörens enhetsförpackning
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN0806H43-DFN1411 (1,4x1,1)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP
Rensa
Inkapsling/låda
3-DFN frilagt öra3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flata ledningar3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, ej standard3-SMD, flat ledning3-SMD, flata ledningar3-SMD, utan ledning3-UDFN3-UFDFN
Rensa
Lageralternativ
Media
Miljöalternativ
MARKETPLACE-PRODUKT
Resultat per sida
25
Page 1/1575
Jämför
Tillv. artnr.
Pris
Lager
Leverantör
Tillv.
Min. antal
DK artikelnr.
Serie
Förpackning
Artikelstatus
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
Rds On (max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (Max)
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
FET-funktion
Effektförlust (max)
Arbetstemperatur
Monteringstyp
Leverantörens enhetsförpackning
Inkapsling/låda
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
kr 7,66000
351 704 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1100-2-ND
917-1100-1-ND
917-1100-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhm vid 1A, 5V2,5V vid 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
kr 10,58000
86 656 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1153-2-ND
917-1153-1-ND
917-1153-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)15 V3,4 A (Ta)5V30mOhm vid 1,5A, 5V2,5V vid 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
kr 10,58000
188 164 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1138-2-ND
917-1138-1-ND
917-1138-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm vid 50mA, 5V2,5V vid 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
kr 12,22000
596 857 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1137-2-ND
917-1137-1-ND
917-1137-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V550mOhm vid 100mA, 5V2,5V vid 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
kr 14,87000
48 307 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1147-2-ND
917-1147-1-ND
917-1147-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)80 V6,8 A (Ta)5V25mOhm vid 6A, 5V2,5V vid 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
kr 19,52000
35 048 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1081-2-ND
917-1081-1-ND
917-1081-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)100 V6 A (Ta)5V30mOhm vid 6A, 5V2,5V vid 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansform (5 lödstänger)Stans
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
kr 18,97000
50 170 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1186-2-ND
917-1186-1-ND
917-1186-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)100 V16 A (Ta)5V7mOhm vid 16A, 5V2,5V vid 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
kr 18,60000
13 769 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1086-2-ND
917-1086-1-ND
917-1086-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)100 V4 A (Ta)5V160mOhm vid 500mA, 5V2,5V vid 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
kr 22,80000
55 196 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1223-2-ND
917-1223-1-ND
917-1223-6-ND
*
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv----------------
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
kr 24,26000
20 116 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-EPC2055TR-ND
917-EPC2055CT-ND
917-EPC2055DKR-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)40 V29 A (Ta)5V3,6mOhm vid 15A, 5V2,5V vid 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
kr 25,17000
10 913 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1084-2-ND
917-1084-1-ND
917-1084-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)200 V5 A (Ta)5V100mOhm vid 3A, 5V2,5V vid 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansform (4 lödstänger)Stans
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
kr 27,27000
205 438 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1211-2-ND
917-1211-1-ND
917-1211-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)100 V18 A (Ta)5V13,5mOhm vid 11A, 5V2,5V vid 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
kr 27,09000
33 381 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1118-2-ND
917-1118-1-ND
917-1118-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)65 V2 A (Ta)5V530mOhm vid 500mA, 5V2,5V vid 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
kr 29,28000
17 263 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-EPC2207TR-ND
917-EPC2207CT-ND
917-EPC2207DKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)200 V14 A (Ta)5V22mOhm vid 14A, 5V2,5V vid 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
kr 30,28000
19 395 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1204-2-ND
917-1204-1-ND
917-1204-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)100 V48 A (Ta)5V3,8mOhm vid 25A, 5V2,5V vid 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
kr 31,37000
27 544 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-EPC2059TR-ND
917-EPC2059CT-ND
917-EPC2059DKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv----------------
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
kr 33,47000
30 716 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1087-2-ND
917-1087-1-ND
917-1087-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)200 V8,5 A (Ta)5V50mOhm vid 7A, 5V2,5V vid 1,5mA2.5 nC @ 5 V+6V, -4V270 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
kr 41,22000
50 057 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-EPC2218TR-ND
917-EPC2218CT-ND
917-EPC2218DKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)100 V----------YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
kr 42,77000
107 063 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1079-2-ND
917-1079-1-ND
917-1079-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)100 V36 A (Ta)5V7mOhm vid 25A, 5V2,5V vid 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansform (11-lödstång)Stans
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
kr 44,14000
17 003 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1083-2-ND
917-1083-1-ND
917-1083-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)40 V53 A (Ta)5V4mOhm vid 33A, 5V2,5V vid 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
kr 55,81000
1 587 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1218-2-ND
917-1218-1-ND
917-1218-6-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)200 V32 A (Ta)5V8mOhm vid 20A, 5V2,5V vid 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
kr 59,83000
18 193 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1085-2-ND
917-1085-1-ND
917-1085-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)200 V22 A (Ta)5V25mOhm vid 12A, 5V2,5V vid 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStandsform (7 lödstänger)Stans
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
kr 58,46000
104 955 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1212-2-ND
917-1212-1-ND
917-1212-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)80 V90 A (Ta)5V2,2mOhm vid 29A, 5V2,5V vid 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
kr 52,90000
307 - Omedelbart
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
SCT2H12NYTBTR-ND
SCT2H12NYTBCT-ND
SCT2H12NYTBDKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalSiCFET (kiselkarbid)1700 V4 A (Tc)18V1,5Ohm vid 1,1A, 18V4V vid 410µA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V-44W (Tc)175°C (TJ)YtmonteringTO-268TO-268-3, D³Pak (2 ledningar + flik), TO-268AA
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
kr 60,19000
22 227 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1151-2-ND
917-1151-1-ND
917-1151-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (galliumnitrid)60 V31 A (Ta)-2,6mOhm vid 30A, 5V2,5V vid 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
Resultat per sida
25
Page 1/1575