FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Visar

av 45 317

Tillv. artnr.	Tillgängligt antal	Pris	Serie	Förpackning	Produktstatus	FET-typ	Teknologi	Drain till source-spänning (Vdss)	Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	Rds On (max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	FET-funktion	Effektförlust (max)	Arbetstemperatur	Grad	Godkännande	Monteringstyp	Leverantörens enhetsförpackning	Inkapsling/låda
NX7002AK,215 MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	4 955 I lager	1 : kr 1,28000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,25052 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	190mA (Ta)	5V, 10V	4,5Ohm vid 100mA, 10V	2,1V vid 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	506 323 I lager	1 : kr 1,37000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,26259 Remsa och spole (TR)	U-MOSVII-H	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9Ohm vid 100mA, 10V	2,1V vid 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	1 147 667 I lager	1 : kr 1,46000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,28242 Remsa och spole (TR)	U-MOSVII-H	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm vid 100mA, 10V	2,1V vid 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-TP MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	97 253 I lager	1 : kr 1,55000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,30185 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm vid 500mA, 10V	2,5V vid 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	1,08W	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN65D8L-7 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	13 069 I lager	1 : kr 1,55000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,30185 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	310mA (Ta)	5V, 10V	3Ohm vid 115mA, 10V	2V vid 250µA	0.87 nC @ 10 V	±20V	22 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	87 532 I lager	1 : kr 1,82000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,33147 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm vid 50mA, 5V	2,5V vid 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002WT1G MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 onsemi	83 323 I lager	1 : kr 1,82000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,34692 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	310mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm vid 500mA, 10V	2,5V vid 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	280mW (Tj)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
SSM3K72KFS,LF MOSFET N-CH 60V 300MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	79 487 I lager	1 : kr 1,82000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,35836 Remsa och spole (TR)	U-MOSVII-H	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm vid 100mA, 10V	2,1V vid 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C	-	-	Ytmontering	SSM	SC-75, SOT-416
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	353 581 I lager	1 : kr 1,92000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,36219 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5Ohm vid 220mA, 10V	1,5V vid 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	218 660 I lager	1 : kr 1,92000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,35711 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm vid 500mA, 10V	2,3V vid 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002A-7 MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Diodes Incorporated	108 591 I lager	1 : kr 1,92000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,38755 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	180mA (Ta)	5V, 10V	6Ohm vid 115mA, 5V	2V vid 250µA	-	±20V	23 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	1 012 250 I lager	1 : kr 2,01000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,39476 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2Ohm vid 100mA, 2,5V	1V vid 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	242 178 I lager	1 : kr 2,01000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,37897 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4Ohm vid 400mA, 4,5V	1,06V vid 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C-155°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	82 353 I lager	1 : kr 2,01000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,38065 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5Ohm vid 240mA, 10V	2,5V vid 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K35AMFV,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	56 614 I lager	1 : kr 2,01000 Remsbit (CT) 8 000 : kr 0,33709 Remsa och spole (TR)	U-MOSIII	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	250mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,1Ohm vid 150mA, 4,5V	1V vid 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	VESM	SOT-723
SSM3K37FS,LF MOSFET N-CH 20V 200MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	27 344 I lager	1 : kr 2,01000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,39476 Remsa och spole (TR)	U-MOSIII	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	200mA (Ta)	1,5V, 4,5V	2,2Ohm vid 100mA, 4,5V	1V vid 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	100mW (Ta)	150°C (TA)	-	-	Ytmontering	SSM	SC-75, SOT-416
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	10 206 I lager	1 : kr 2,01000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,41084 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8Ohm vid 250mA, 10V	1,5V vid 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	6 589 I lager	1 : kr 2,01000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,39655 Remsa och spole (TR)	TrenchMOS™	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	320mA (Ta)	10V	1,6Ohm vid 300mA, 10V	1,5V vid 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C-150°C (TA)	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	SOT-323	SC-70, SOT-323
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	290 593 I lager	1 : kr 2,10000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,43034 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2Ohm vid 200mA, 4,5V	800mV vid 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	UMT3F	SC-85
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	252 803 I lager	1 : kr 2,10000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,39226 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm vid 100mA, 5V	2V vid 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	3 583 I lager	1 : kr 2,10000 Remsbit (CT) 10 000 : kr 0,34100 Remsa och spole (TR)	U-MOSVII-H	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm vid 100mA, 10V	2,1V vid 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	CST3	SC-101, SOT-883
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	168 686 I lager	1 : kr 2,19000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,41693 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm vid 50mA, 5V	2V vid 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-523	SOT-523
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	110 338 I lager	1 : kr 2,19000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,42179 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5Ohm vid 500mA, 10V	2,5V vid 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	98 606 I lager	1 : kr 2,19000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,44785 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	170mA (Ta)	10V	6Ohm vid 170mA, 10V	2V vid 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Infineon Technologies	28 445 I lager	1 : kr 2,19000 Remsbit (CT) 3 000 : kr 0,43736 Remsa och spole (TR)	OptiMOS™	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	3Ohm vid 500mA, 10V	2,5V vid 250µA	0.6 nC @ 10 V	±20V	20 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Ytmontering	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Visar

av 45 317

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

Fälteffekttransistorer (FET:ar) och MOSFET:ar (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) är olika typer av transistorer som används för att förstärka eller switcha elektroniska signaler.

En FET fungerar genom att styra flödet av elektrisk ström mellan source- och drain-anslutningarna genom ett elektriskt fält som genereras av en spänning som appliceras på gate-anslutningen. Den största fördelen med FET:ar är deras höga ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för användning i signalförstärkning och analoga kretsar. De används ofta i tillämpningar som förstärkare, oscillatorer och buffertsteg i elektroniska kretsar.

MOSFET:ar, som är en undertyp av FET:ar, har en gate-anslutning som är isolerad från kanalen med ett tunt oxidskikt, vilket förbättrar dess prestanda och gör dem mycket effektiva. MOSFET:ar kan delas in i två olika typer:

MOSFET:ar med n-kanal: där elektroner är de primära bärarna.
MOSFET:ar med p-kanal: där hål är de primära bärarna.

MOSFET:ar är att föredra i många tillämpningar tack vare deras låga strömförbrukning, snabba switchning och förmåga att hantera stora strömmar och spänningar. De är avgörande i digitala och analoga kretsar, inklusive strömförsörjning, motorstyrningar och radiofrekvenstillämpningar.

MOSFET:ars funktion kan delas upp i två olika lägen:

Förbättringsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt avstängd när gate-source spänningen är noll. Den kräver en positiv gate-source spänning (för n-kanal) eller en negativ gate-source spänning (för p-kanal) för att slås på.
Tömningsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt på när gate-source spänningen är noll. Om man lägger på en gate-source spänning med motsatt polaritet kan den stängas av.

MOSFET:ar har flera fördelar, t.ex:

Hög verkningsgrad: De förbrukar väldigt lite ström och kan växla läge snabbt, vilket gör dem väldigt effektiva i tillämpningar för strömhantering.
Låg resistans vid tillslag: De har låg tillslagsresistans, vilket minimerar strömförluster och värmeutveckling.
Hög ingångsimpedans: Konstruktionen med en isolerad gate ger en extremt hög ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för signalförstärkning med hög impedans.

Sammanfattningsvis är FET:ar, och i synnerhet MOSFET:ar, grundläggande komponenter i modern elektronik, och är kända för sin verkningsgrad, snabbhet och mångsidighet i en stor mängd tillämpningar, allt från signalförstärkning med låg effekt till switchning och styrning med hög effekt.

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

Information

Kontakt och support

KONTAKTA OSS

FÖLJ OSS