Name: SQM35N30-97_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM35N30-97_GE3TR-ND
Price: 58.3875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQM35N30-97_GE3
DigiKeys produktnummer	SQM35N30-97_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQM35N30-97_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQM35N30-97_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQM35N30-97_GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 300 V 35 A (Tc) 375W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 5650 pF @ 25 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 375W (Tc)
Artikelstatus Aktiv	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
FET-typ N-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 300 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 35 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning TO-263 (D2PAK)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Inkapsling/låda TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Rds On (max) @ Id, Vgs 97mOhm vid 10A, 10V	Basproduktens nummer SQM35
Vgs(th) (Max) @ Id 3,5V vid 250µA