Name: SQD10N30-330H_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD10N30-330H_GE3TR-ND
Price: 26.6875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQD10N30-330H_GE3
DigiKeys produktnummer	SQD10N30-330H_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQD10N30-330H_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQD10N30-330H_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQD10N30-330H_GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 300 V 10 A (Tc) 107W (Tc) Ytmontering TO-252AA
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±30V
Serie TrenchFET®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 2190 pF @ 25 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 107W (Tc)
Artikelstatus Aktiv	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
FET-typ N-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 300 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 10 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning TO-252AA
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Inkapsling/låda TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Rds On (max) @ Id, Vgs 330mOhm vid 14A, 10V	Basproduktens nummer SQD10
Vgs(th) (Max) @ Id 4,4V vid 250µA