Name: SQJA76EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJA76EP-T1_GE3TR-ND
Price: 23.625 SEK
Availability: OutOfStock

SQJA76EP-T1_GE3 är slut i lager och kan restnoteras.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Parametrisk ekvivalent

Vishay Siliconix

I lager: 2 988

Enhetspris : kr 17,67000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQJA76EP-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQJA76EP-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQJA76EP-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQJA76EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQJA76EP-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Tillverkarens standardleveranstid	32 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 75 A (Tc) 68W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJA76EP-T1_GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	75 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,4mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	5250 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	68W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SQJA76