Name: SQD50N06-09L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N06-09L_GE3TR-ND
Price: 68.9875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQD50N06-09L_GE3
DigiKeys produktnummer	SQD50N06-09L_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQD50N06-09L_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQD50N06-09L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQD50N06-09L_GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Tillverkarens standardleveranstid	25 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 50 A (Tc) 136W (Tc) Ytmontering TO-252AA
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQD50N06-09L_GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	50 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	9mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3065 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	136W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	TO-252AA
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	SQD50