Name: SQD50N06-09L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N06-09L_GE3TR-ND
Price: 71.275 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQD50N06-09L_GE3
DigiKeys produktnummer	SQD50N06-09L_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQD50N06-09L_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQD50N06-09L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQD50N06-09L_GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 50 A (Tc) 136W (Tc) Ytmontering TO-252AA
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQD50N06-09L_GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 3065 pF @ 25 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 136W (Tc)
Artikelstatus Aktiv	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
FET-typ N-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 50 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning TO-252AA
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Rds On (max) @ Id, Vgs 9mOhm vid 20A, 10V	Basproduktens nummer SQD50
Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA