Name: SQ2301ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2301ES-T1_GE3TR-ND
Price: 9.6875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQ2301ES-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	742-SQ2301ES-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SQ2301ES-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SQ2301ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQ2301ES-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Tillverkarens standardleveranstid	22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 3,9 A (Tc) 3W (Tc) Ytmontering TO-236 (SOT-23)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±8V
Serie TrenchFET®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 425 pF @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 3W (Tc)
Artikelstatus Aktiv	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TA)
FET-typ P-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 20 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 3,9 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning TO-236 (SOT-23)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 2,5V, 4,5V	Inkapsling/låda TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max) @ Id, Vgs 120mOhm vid 2,8A, 4,5V	Basproduktens nummer SQ2301
Vgs(th) (Max) @ Id 1,5V vid 250µA

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 11 779

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)