Name: SI2301CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2301CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 8.4375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI2301CDS-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI2301CDS-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI2301CDS-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI2301CDS-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Tillverkarens standardleveranstid	38 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 3,1 A (Tc) 860mW (Ta), 1,6W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI2301CDS-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 1V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±8V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 405 pF @ 10 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 860mW (Ta), 1,6W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 20 V	Leverantörens enhetsförpackning SOT-23-3 (TO-236)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 3,1 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 2,5V, 4,5V	Basproduktens nummer SI2301
Rds On (max) @ Id, Vgs 112mOhm vid 2,8A, 4,5V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 265 889

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)

Tillverkarens standardförpackning

Enhetspris exkl. moms:	kr 6,75000
Enhetspris inkl. moms:	kr 8,43750

SI2301CDS-T1-GE3