Name: SIS5712DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS5712DN-T1-GE3TR-ND
Price: 22.2125 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SIS5712DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIS5712DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIS5712DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIS5712DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIS5712DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Tillverkarens standardleveranstid	33 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 150 V 5,6 A (Ta), 18 A (Tc) 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	150 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	5,6 A (Ta), 18 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	55,5mOhm vid 5,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	11.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 75 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,7W (Ta), 39,1W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 1212-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® 1212-8

Antal	Enhetspris	Totalpris
3 000	kr 4,86688	kr 14 600,64
6 000	kr 4,54781	kr 27 286,86

Enhetspris exkl. moms:	kr 17,77000
Enhetspris inkl. moms:	kr 22,21250

SIS5712DN-T1-GE3