Name: SIS5712DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS5712DN-T1-GE3TR-ND
Price: 22.925 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIS5712DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIS5712DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIS5712DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIS5712DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIS5712DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 150 V 5,6 A (Ta), 18 A (Tc) 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 55,5mOhm vid 5,6A, 10V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 75 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 3,7W (Ta), 39,1W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 150 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 5,6 A (Ta), 18 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 1212-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Inkapsling/låda PowerPAK® 1212-8