Name: SIJ4106DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJ4106DP-T1-GE3TR-ND
Price: 30.3375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIJ4106DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIJ4106DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIJ4106DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIJ4106DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIJ4106DP-T1-GE3
Beskrivning	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 15,8A (Ta), 59A (Tc) 5W (Ta), 69,4W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 8,3mOhm vid 15A, 10V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs(th) (Max) @ Id 3,8V vid 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 3610 pF @ 50 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 5W (Ta), 69,4W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 15,8A (Ta), 59A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SO-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Inkapsling/låda PowerPAK® SO-8