Name: SIS110DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS110DN-T1-GE3TR-ND
Price: 14.25 SEK
Availability: InStock

SIS110DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIS110DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIS110DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIS110DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIS110DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	17 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 5,2 A (Ta), 14,2 A (Tc) 3,2W (Ta), 24W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	5,2 A (Ta), 14,2 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	54mOhm vid 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	550 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,2W (Ta), 24W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 1212-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® 1212-8
Basproduktens nummer	SIS110

Enhetspris exkl. moms:	kr 11,40000
Enhetspris inkl. moms:	kr 14,25000

SIS110DN-T1-GE3