Name: SIR880BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR880BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 24.175 SEK
Availability: InStock

SIR880BDP-T1-RE3
DigiKeys produktnummer	742-SIR880BDP-T1-RE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIR880BDP-T1-RE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIR880BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIR880BDP-T1-RE3
Beskrivning	N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 18,6A (Ta), 70,6A (Tc) 5W (Ta), 71,4W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIR880BDP-T1-RE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	18,6A (Ta), 70,6A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	6,5mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2930 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	5W (Ta), 71,4W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8

Enhetspris exkl. moms:	kr 19,34000
Enhetspris inkl. moms:	kr 24,17500

SIR880BDP-T1-RE3