Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 71.725 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIJH112E-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIJH112E-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 8 x 8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIJH112E-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 8050 pF @ 50 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 3,3W (Ta), 333W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® 8 x 8
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 225A (Tc)	Inkapsling/låda 8-PowerTDFN
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,8mOhm vid 20A, 10V	Basproduktens nummer SIJH112
Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA