Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 64.6125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIJH112E-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIJH112E-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	29 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 8 x 8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIJH112E-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,8mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	8050 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,3W (Ta), 333W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 8 x 8
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	SIJH112