Name: SIJ482DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIJ482DP-T1-GE3TR-ND
Price: 29.8875 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SIJ482DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIJ482DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIJ482DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT)
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIJ482DP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Tillverkarens standardleveranstid	33 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 60 A (Tc) 5W (Ta), 69,4W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIJ482DP-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	60 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	6,2mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,7V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2425 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	5W (Ta), 69,4W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SIJ482

Antal	Enhetspris	Totalpris
3 000	kr 6,93554	kr 20 806,62
6 000	kr 6,85125	kr 41 107,50

Enhetspris exkl. moms:	kr 23,91000
Enhetspris inkl. moms:	kr 29,88750

SIJ482DP-T1-GE3