Name: SI9407BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9407BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 20.1875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI9407BDY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI9407BDY-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI9407BDY-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI9407BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI9407BDY-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Tillverkarens standardleveranstid	11 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 60 V 4,7 A (Tc) 2,4W (Ta), 5W (Tc) Ytmontering 8-SOIC
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 30 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 2,4W (Ta), 5W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Leverantörens enhetsförpackning 8-SOIC
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 4,7 A (Tc)	Inkapsling/låda 8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SI9407
Rds On (max) @ Id, Vgs 120mOhm vid 3,2A, 10V