Name: SI7655DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7655DN-T1-GE3TR-ND
Price: 28 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SI7655DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI7655DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI7655DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI7655DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI7655DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Tillverkarens standardleveranstid	13 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 40 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI7655DN-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	20 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	40 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	2,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	3,6mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1,1V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	225 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±12V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	6600 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Arbetstemperatur	-50°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 1212-8S
Inkapsling/låda	PowerPAK® 1212-8S
Basproduktens nummer	SI7655

Antal	Enhetspris	Totalpris
3 000	kr 6,41309	kr 19 239,27
6 000	kr 6,26063	kr 37 563,78

Enhetspris exkl. moms:	kr 22,40000
Enhetspris inkl. moms:	kr 28,00000

SI7655DN-T1-GE3