Name: SI4848BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4848BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 12.875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI4848BDY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SI4848BDY-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SI4848BDY-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SI4848BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI4848BDY-T1-GE3
Beskrivning	N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Tillverkarens standardleveranstid	33 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 150 V 3,7A (Ta), 5A (Tc) 2,5W (Ta), 4,5W (Tc) Ytmontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI4848BDY-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	150 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	3,7A (Ta), 5A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	89mOhm vid 3,7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 75 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta), 4,5W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-SOIC
Inkapsling/låda	8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Basproduktens nummer	SI4848