Name: SI4178DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4178DY-T1-GE3TR-ND
Price: 11.925 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI4178DY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI4178DY-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI4178DY-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI4178DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI4178DY-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Tillverkarens standardleveranstid	27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 12 A (Tc) 2,4W (Ta), 5W (Tc) Ytmontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI4178DY-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	12 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	21mOhm vid 8,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,8V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	405 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,4W (Ta), 5W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-SOIC
Inkapsling/låda	8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Basproduktens nummer	SI4178

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 6 035

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)