Name: SI2387DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2387DS-T1-GE3TR-ND
Price: 9.925 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI2387DS-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SI2387DS-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SI2387DS-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SI2387DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI2387DS-T1-GE3
Beskrivning	P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 80 V 2,1A (Ta), 3A (Tc) 1,3W (Ta), 2,5W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 164mOhm vid 2,1A, 10V
Tillv. Vishay Siliconix	Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA
Serie TrenchFET® Gen IV	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 10.2 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 395 pF @ 40 V
FET-typ P-kanal	Effektförlust (max) 1,3W (Ta), 2,5W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 80 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 2,1A (Ta), 3A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning SOT-23-3 (TO-236)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 1 452

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)