Name: SI2309CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2309CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 9.5625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI2309CDS-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI2309CDS-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI2309CDS-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI2309CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI2309CDS-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Tillverkarens standardleveranstid	20 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 60 V 1,6 A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI2309CDS-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	1,6 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	345mOhm vid 1,25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	210 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1W (Ta), 1,7W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-23-3 (TO-236)
Inkapsling/låda	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basproduktens nummer	SI2309

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 40 605

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)