Name: SI2369DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2369DS-T1-GE3TR-ND
Price: 7.8 SEK
Availability: OutOfStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SI2369DS-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI2369DS-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI2369DS-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI2369DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI2369DS-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 30 V 7,6 A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI2369DS-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	7,6 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	29mOhm vid 5,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1295 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-23-3 (TO-236)
Inkapsling/låda	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basproduktens nummer	SI2369

Enhetspris exkl. moms:	kr 6,24000
Enhetspris inkl. moms:	kr 7,80000

SI2369DS-T1-GE3