Name: SI2323DDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2323DDS-T1-GE3TR-ND
Price: 10.0375 SEK
Availability: OutOfStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SI2323DDS-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI2323DDS-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI2323DDS-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI2323DDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI2323DDS-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Tillverkarens standardleveranstid	27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 5,3 A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Ytmontering SOT-23
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI2323DDS-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	20 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	5,3 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	39mOhm vid 4,1A, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 8 V
Vgs (Max)	±8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1160 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-23
Inkapsling/låda	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basproduktens nummer	SI2323

Enhetspris exkl. moms:	kr 8,03000
Enhetspris inkl. moms:	kr 10,03750

SI2323DDS-T1-GE3