NTR3A052PZT1G onsemi | Diskreta halvledarprodukter

NTR3A052PZT1G har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt

Diodes Incorporated

I lager: 14 463

Enhetspris : kr 2,46000

Direkt

Diodes Incorporated

I lager: 83 806

Enhetspris : kr 2,46000

Similar

Nexperia USA Inc.

I lager: 0

Enhetspris : kr 5,29000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

NTR3A052PZT1G
DigiKeys produktnummer	NTR3A052PZT1GOSTR-ND - Remsa och spole (TR) NTR3A052PZT1GOSCT-ND - Remsbit (CT) NTR3A052PZT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	onsemi
Tillverkarens produktnummer	NTR3A052PZT1G
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 3,6 A (Ta) 860mW (Ta) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NTR3A052PZT1G Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	onsemi
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	20 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	3,6 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	47mOhm vid 3,5A, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	11.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1243 pF @ 4 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	860mW (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-23-3 (TO-236)
Inkapsling/låda	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basproduktens nummer	NTR3A052