Name: SI2301CDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2301CDS-T1-BE3TR-ND
Price: 8.1 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI2301CDS-T1-BE3
DigiKeys produktnummer	742-SI2301CDS-T1-BE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SI2301CDS-T1-BE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SI2301CDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI2301CDS-T1-BE3
Beskrivning	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	38 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 2,3A (Ta), 3,1A (Tc) 860mW (Ta), 1,6W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 1V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±8V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 405 pF @ 10 V
FET-typ P-kanal	Effektförlust (max) 860mW (Ta), 1,6W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 20 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 2,3A (Ta), 3,1A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning SOT-23-3 (TO-236)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 2,5V, 4,5V	Inkapsling/låda TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max) @ Id, Vgs 112mOhm vid 2,8A, 4,5V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 11 356

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)