Name: TP65H035G4WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H035G4WS-ND
Price: 147.1125 SEK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 46,5 A (Tc) 156W (Tc) Genomgående hål TO-247-3

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TP65H035G4WS
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H035G4WS-ND
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	TP65H035G4WS
Beskrivning	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 46,5 A (Tc) 156W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TP65H035G4WS Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4,8V vid 1mA
Tillv. Renesas Electronics Corporation	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 0 V
Serie SuperGaN™	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Rör	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 156W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C
Teknologi GaNFET (kaskod gallium-nitrid-FET)	Monteringstyp Genomgående hål
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Leverantörens enhetsförpackning TO-247-3
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 46,5 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-247-3
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Basproduktens nummer TP65H035
Rds On (max) @ Id, Vgs 41 mOhm vid 30A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 587

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 117,69000	kr 117,69
30	kr 70,72533	kr 2 121,76
120	kr 60,43750	kr 7 252,50
510	kr 53,59822	kr 27 335,09

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.