Name: TPH2R608NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R608NHL1QTR-ND
Price: 24.45 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

TPH2R608NH,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPH2R608NHL1QTR-ND - Remsa och spole (TR) TPH2R608NHL1QCT-ND - Remsbit (CT) TPH2R608NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPH2R608NH,L1Q
Beskrivning	MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 75 V 150A (Tc) 142W (Tc) Ytmontering 8-SOP Advance (5x5)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPH2R608NH,L1Q Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	75 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	150A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,6mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	6000 pF @ 37.5 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	142W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-SOP Advance (5x5)
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	TPH2R608

Enhetspris exkl. moms:	kr 19,56000
Enhetspris inkl. moms:	kr 24,45000

TPH2R608NH,L1Q