Name: ISC151N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC151N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 67.45 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

ISC151N20NM6ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISC151N20NM6ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-ISC151N20NM6ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-ISC151N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	ISC151N20NM6ATMA1
Beskrivning	TRENCH >=100V
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 200 V 9,1A (Ta), 74A (Tc) 3W (Ta), 200W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8 FL
Datablad	Datablad

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	9,1A (Ta), 74A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V, 15V
Rds On (max) @ Id, Vgs	14mOhm vid 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,5V vid 105µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3W (Ta), 200W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8 FL
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN

Enhetspris exkl. moms:	kr 53,96000
Enhetspris inkl. moms:	kr 67,45000

ISC151N20NM6ATMA1