IRFS4010PBF Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRFS4010PBF
DigiKeys produktnummer	IRFS4010PBF-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IRFS4010PBF
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 180 A (Tc) 375W (Tc) Ytmontering D2PAK
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Har utgått hos Digi-Key
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	180 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,7mOhm vid 106A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	215 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	9575 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	375W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	D2PAK
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager

Till följd av tillfälliga leveransbegränsningar kan vi inte acceptera restordrar, och ledtiden är inte tillgänglig för tillfället. Visa Alternativa förpackningstyper.

Du är kanske också intresserad avVisa alla

2 Artiklar