Name: IQDH88N06LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH88N06LM5SCATMA1TR-ND
Price: 65.5625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IQDH88N06LM5SCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQDH88N06LM5SCATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IQDH88N06LM5SCATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IQDH88N06LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IQDH88N06LM5SCATMA1
Beskrivning	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 42A (Ta), 447A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Ytmontering PG-WHSON-8-U02
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQDH88N06LM5SCATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	42A (Ta), 447A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	0,86mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,3V vid 163µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	14000 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3W (Ta), 333W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-WHSON-8-U02
Inkapsling/låda	8-PowerWDFN