Name: BSZ067N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND
Price: 22.15 SEK
Availability: OutOfStock

BSZ067N06LS3GATMA1 är slut i lager och kan restnoteras.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Infineon Technologies

I lager: 5 482

Enhetspris : kr 15,59000

Similar

Diodes Incorporated

I lager: 153

Enhetspris : kr 13,47000

Similar

Diodes Incorporated

I lager: 15 634

Enhetspris : kr 11,99000

Similar

Diodes Incorporated

I lager: 4 310

Enhetspris : kr 11,90000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

BSZ067N06LS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSZ067N06LS3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSZ067N06LS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSZ067N06LS3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 14A (Ta), 79A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Ytmontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ067N06LS3GATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 3
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Senaste tidpunkt för inköp
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	14A (Ta), 79A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	6,7mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V vid 35µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	5100 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSDSON-8
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	BSZ067