Name: IQD016N08NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD016N08NM5SCATMA1TR-ND
Price: 68.5125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IQD016N08NM5SCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQD016N08NM5SCATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IQD016N08NM5SCATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IQD016N08NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IQD016N08NM5SCATMA1
Beskrivning	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Ytmontering PG-WHSON-8-U02
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQD016N08NM5SCATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	31A (Ta), 323A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,57mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,8V vid 159µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	133 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	9200 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3W (Ta), 333W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-WHSON-8-U02
Inkapsling/låda	8-PowerWDFN