Name: IPW65R019C7FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R019C7FKSA1-ND
Price: 285.4375 SEK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 75 A (Tc) 446W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPW65R019C7FKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IPW65R019C7FKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPW65R019C7FKSA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 75 A (Tc) 446W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPW65R019C7FKSA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 2,92mA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C7	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Rör	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 9900 pF @ 400 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 446W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Genomgående hål
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO247-3
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 75 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-247-3
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Basproduktens nummer IPW65R019
Rds On (max) @ Id, Vgs 19mOhm vid 58,3A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 4 643

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 228,35000	kr 228,35
30	kr 143,48200	kr 4 304,46
120	kr 124,92183	kr 14 990,62
510	kr 111,34278	kr 56 784,82

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.