IPP80R600P7XKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


onsemi
I lager: 145
Enhetspris : kr 29,48000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 23,49397
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 35
Enhetspris : kr 60,86000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 17,11427
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 177
Enhetspris : kr 53,39000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 21,00957
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 11,45623
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 12
Enhetspris : kr 38,27000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 26
Enhetspris : kr 48,86000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 12
Enhetspris : kr 41,30000
Datablad
N-kanal 800 V 8 A (Tc) 60W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP80R600P7XKSA1

DigiKeys produktnummer
IPP80R600P7XKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPP80R600P7XKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 800 V 8 A (Tc) 60W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPP80R600P7XKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
600mOhm vid 3,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V vid 170µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 500 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
60W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.