N-kanal 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Genomgående hål TO-220
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXTP8N65X2M

DigiKeys produktnummer
IXTP8N65X2M-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXTP8N65X2M
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Tillverkarens standardleveranstid
41 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Genomgående hål TO-220
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
Ultra X2
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
4 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
550mOhm vid 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
32W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
IXTP8
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 11
Fabrikslager: 1 450
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 37,37000kr 37,37
50kr 19,04620kr 952,31
100kr 17,27180kr 1 727,18
500kr 14,16348kr 7 081,74
1 000kr 13,16522kr 13 165,22
2 000kr 12,70775kr 25 415,50
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 37,37000
Enhetspris inkl. moms:kr 46,71250