Name: IPDQ60R017S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R017S7AXTMA1TR-ND
Price: 166.5625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPDQ60R017S7AXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPDQ60R017S7AXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPDQ60R017S7AXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPDQ60R017S7AXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPDQ60R017S7AXTMA1
Beskrivning	MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	8 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 30 A (Tc) 500W (Tc) Ytmontering PG-HDSOP-22-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPDQ60R017S7AXTMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ S7
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	30 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	12V
Rds On (max) @ Id, Vgs	17mOhm vid 29A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,5V vid 1,89mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	196 nC @ 12 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	7370 pF @ 300 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	500W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HDSOP-22-1
Inkapsling/låda	22-PowerBSOP-modul
Basproduktens nummer	IPDQ60R