IPD80R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IPD80R1K4CEBTMA1 är slut i lager och restnotering är inte tillgängligt för närvarande.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt

IPD80R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

I lager: 2 486

Enhetspris : kr 1,55000

Datablad

Similar

STD5N60M2

STMicroelectronics

I lager: 0

Enhetspris : kr 1,48000

Datablad

Visa och jämför alla ersättningsprodukter

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPD80R1K4CEBTMA1
DigiKeys produktnummer	IPD80R1K4CEBTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD80R1K4CEBTMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-11
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR)
Artikelstatus	Har utgått hos Digi-Key
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	3,9 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,4Ohm vid 2,3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,9V vid 240µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	570 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	63W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO252-3-11
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	IPD80R

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager

Till följd av tillfälliga leveransbegränsningar kan vi inte acceptera restordrar, och ledtiden är inte tillgänglig för tillfället. Visa Ersättningsartiklar.