Name: IPD80R1K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K4CEATMA1TR-ND
Price: 25.6625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPD80R1K4CEATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD80R1K4CEATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD80R1K4CEATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,9V vid 240µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 100 V
Artikelstatus Inte för nya designer	Effektförlust (max) 63W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 800 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO252-3
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 3,9 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Basproduktens nummer IPD80R1
Rds On (max) @ Id, Vgs 1,4Ohm vid 2,3A, 10V