IPB65R150CFDATMA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Parametrisk ekvivalent


Infineon Technologies
I lager: 1 047
Enhetspris : kr 41,97000
Datablad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
I lager: 800
Enhetspris : kr 51,55000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 1 451
Enhetspris : kr 75,90000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 15,91726
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 45,98000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 19,72870
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 44
Enhetspris : kr 47,44000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 24,29025
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 1 416
Enhetspris : kr 64,59000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 819
Enhetspris : kr 41,60000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 688
Enhetspris : kr 69,70000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 1 905
Enhetspris : kr 25,54000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 16,70896
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 1 060
Enhetspris : kr 46,71000
Datablad
N-kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R150CFDATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB65R150CFDATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPB65R150CFDATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPB65R150CFDATMA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
150mOhm vid 9,3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 900µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
195,3W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO263-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.