Direkt
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar



SIHB22N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | SIHB22N65E-GE3-ND |
Tillverkare | |
Tillverkarens produktnummer | SIHB22N65E-GE3 |
Beskrivning | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
Tillverkarens standardleveranstid | 24 veckor |
Kundreferens | |
Detaljerad beskrivning | N-kanal 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK) |
Datablad | Datablad |
EDA-/CAD-modeller | SIHB22N65E-GE3 Modeller |
Kategori | Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA |
Tillv. | Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V |
Förpackning Rör | Vgs (Max) ±30V |
Artikelstatus Aktiv | Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 2415 pF @ 100 V |
FET-typ | Effektförlust (max) 227W (Tc) |
Teknologi | Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ) |
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V | Monteringstyp Ytmontering |
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C | Leverantörens enhetsförpackning TO-263 (D2PAK) |
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V | Inkapsling/låda |
Rds On (max) @ Id, Vgs 180mOhm vid 11A, 10V | Basproduktens nummer |
| Artikelnummer | Tillverkare | Tillgängligt antal | DigiKeys produktnummer | Enhetspris | Typ av ersättningsartikel |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1 795 | FCB20N60FTMCT-ND | kr 65,67000 | Direkt |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | kr 48,27000 | Similar |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1 095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | kr 39,67000 | Similar |
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | 10 560 | IPB60R190C6ATMA1CT-ND | kr 37,05000 | Similar |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | kr 65,86000 | Similar |
| Antal | Enhetspris | Totalpris |
|---|---|---|
| 1 000 | kr 19,72870 | kr 19 728,70 |
| Enhetspris exkl. moms: | kr 19,72870 |
|---|---|
| Enhetspris inkl. moms: | kr 24,66088 |







