IPB054N06N3GATMA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Infineon Technologies
I lager: 3 004
Enhetspris : kr 21,53000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 1 691
Enhetspris : kr 32,93000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 4 387
Enhetspris : kr 25,27000
Datablad

Direkt


onsemi
I lager: 1 431
Enhetspris : kr 32,57000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 1 206
Enhetspris : kr 29,47000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 1 858
Enhetspris : kr 41,15000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 594
Enhetspris : kr 29,47000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 5 303
Enhetspris : kr 25,54000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 1 720
Enhetspris : kr 42,51000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 5 151
Enhetspris : kr 39,32000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 21,96507
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 130
Enhetspris : kr 27,92000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 350
Enhetspris : kr 35,40000
Datablad
N-kanal 60 V 80 A (Tc) 115W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 60 V 80 A (Tc) 115W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB054N06N3GATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB054N06N3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
IPB054N06N3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT)
IPB054N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPB054N06N3GATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 60 V 80 A (Tc) 115W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPB054N06N3GATMA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
5,4mOhm vid 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 58µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
115W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO263-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.