Name: IPB029N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB029N06N3GATMA1TR-ND
Price: 35.35 SEK
Availability: InStock

IPB029N06N3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB029N06N3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPB029N06N3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPB029N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB029N06N3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 120 A (Tc) 188W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB029N06N3GATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Senaste tidpunkt för inköp
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	120 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,9mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 118µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	165 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	13000 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	188W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-3
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	IPB029

Enhetspris exkl. moms:	kr 28,28000
Enhetspris inkl. moms:	kr 35,35000

IPB029N06N3GATMA1