Name: IPB029N06N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
Price: 40.7125 SEK
Availability: OutOfStock

N-kanal 60 V 120 A (Tc) 188W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPB029N06N3GE8187ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB029N06N3GE8187ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Tillverkarens standardleveranstid	27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 120 A (Tc) 188W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 118µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 13000 pF @ 30 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 188W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO263-3
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 120 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Basproduktens nummer IPB029
Rds On (max) @ Id, Vgs 3,2mOhm vid 100A, 10V