Name: IPB017N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB017N10N5ATMA1TR-ND
Price: 73.7125 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IPB017N10N5ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB017N10N5ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPB017N10N5ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPB017N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB017N10N5ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 180 A (Tc) 375W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB017N10N5ATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	180 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,7mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,8V vid 279µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	15600 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	375W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-7
Inkapsling/låda	TO-263-7, D2PAK (6 stift + flik)
Basproduktens nummer	IPB017

Enhetspris exkl. moms:	kr 58,97000
Enhetspris inkl. moms:	kr 73,71250

IPB017N10N5ATMA1