IPA65R420CFDXKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

AOTF11S65L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
I lager: 149
Enhetspris : kr 34,03000
Datablad

Similar

STF12N65M5
STMicroelectronics
I lager: 49
Enhetspris : kr 36,77000
Datablad

Similar

TK560A60Y,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 41
Enhetspris : kr 23,81000
Datablad

Similar

TK7A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 32
Enhetspris : kr 25,91000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 650 V 8,7 A (Tc) 31,2W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-111
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPA65R420CFDXKSA1

DigiKeys produktnummer
IPA65R420CFDXKSA1-ND
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPA65R420CFDXKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 8,7 A (Tc) 31,2W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-111
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
8,7 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
420mOhm vid 3,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 340µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
31,2W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3-111
Inkapsling/låda
TO-220-3 fullpack
Basproduktens nummer
IPA65R420
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.