Name: IMYR140R011M2HXLSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYR140R011M2HXLSA1-ND
Price: 339.6125 SEK
Availability: InStock

IMYR140R011M2HXLSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMYR140R011M2HXLSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMYR140R011M2HXLSA1
Beskrivning	SIC DISCRETE
Tillverkarens standardleveranstid	39 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1400 V 162 A (Tc) 580W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-18
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMYR140R011M2HXLSA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1400 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	162 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	11,5mOhm vid 69,1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,1V vid 21,7mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	152 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4830 pF @ 1000 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	580W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-4-18
Inkapsling/låda	TO-247-4

Enhetspris exkl. moms:	kr 271,69000
Enhetspris inkl. moms:	kr 339,61250

IMYR140R011M2HXLSA1