Name: IMW65R026M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R026M2HXKSA1-ND
Price: 140.575 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMW65R026M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMW65R026M2HXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMW65R026M2HXKSA1
Beskrivning	IMW65R026M2HXKSA1
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 64 A (Tc) 227W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-40
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMW65R026M2HXKSA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	64 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	24mOhm vid 34,5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,6V vid 7mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1499 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	227W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-3-40
Inkapsling/låda	TO-247-3

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 204

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 112,46000	kr 112,46
30	kr 67,69033	kr 2 030,71
120	kr 57,88125	kr 6 945,75
510	kr 56,80284	kr 28 969,45

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.